鎂錠中硅含量超標(biāo)的原因有哪些
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2012-12-01
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回復(fù)：
鎂錠的硅來源于粗鎂，多存在于內(nèi)外表層，可以是單質(zhì)硅，硅的氧化物(SiO2)或硅化鎂(Mg2Si)，主要是以Mg2Si其次是SiO2形式存在。還原真空小于15Pa時，產(chǎn)生硅化鎂，球團表面粉塵大，成球率不高粉料太多，抽氣速率較大時把粉塵帶到結(jié)晶器內(nèi)粗鎂中。隔熱擋板不裝或設(shè)計不公道都會導(dǎo)致硅高。在還原后期出罐時結(jié)晶器不能迅速掏出，在鎂著火燃燒時溫度急劇升高，還可天生硅的其他化合物。最后就是精煉時溫度把握不好，采用不當(dāng)?shù)娜蹌?，致使硅的含量不能降低?/FONT>